Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906922
  Фізична інженерія поверхні   /     Випуск (2012, Т. 10, № 2)

Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю.
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний

Бібліографічний опис:
Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний. Фізична інженерія поверхні. 2012. Т. 10, № 2. С. 221-225. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906922

English  Physical surface engineering   /     Issue (2012, 10 (2))

Guljamov G., Sharibaev N. Ju.
The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states

Cite:
Guljamov, G., Sharibaev, N. Ju. (2012). The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states. Physical surface engineering, 10 (2), 221-225. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906922 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна