On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉 / Haidar, H. P. (2019)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000996210
  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    Б - 2019  /     Issue (2019, № 5)

Гайдар Г. П.
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉

Бібліографічний опис:
Гайдар Г. П.  До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉. Доповіді Національної академії наук України. 2019. № 5. С. 67-74. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000996210

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2019, 5)

Haidar H. P.
On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉

Cite:
Haidar, H. P. (2019). On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 5, 67-74. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000996210 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209