Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon / Onyshchenko, V. F., Karachevtseva, L. A. (2019)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001032989
  Chemistry, physics and technology of surface    А - 2022  /     Issue (2019, Т. 10, № 3)

Онищенко В. Ф., Карачевцева Л. А.
Вплив глибини макропор на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії

Бібліографічний опис:
Онищенко В. Ф., Карачевцева Л. А. Вплив глибини макропор на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії. Хімія, фізика та технологія поверхні. 2019. Т. 10, № 3. С. 294-301. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001032989

English  Chemistry, physics and technology of surface   /     Issue (2019, 10 (3))

Onyshchenko V. F., Karachevtseva L. A.
Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon

Cite:
Onyshchenko, V. F., Karachevtseva, L. A. (2019). Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon. Chemistry, physics and technology of surface, 10 (3), 294-301. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001032989 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209