Experimental evidence of invariability in the shape of n‑Ge isoenergetic ellipsoids influenced by strong uniaxial elastic strains / Haidar, H. P., Baranskyi, P. I. (2017)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138337
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2017, Вып. 52)

Гайдар Г. П., Баранський П. І.
Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації

Бібліографічний опис:
Гайдар Г. П., Баранський П. І. Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2017. Вып. 52. С. 128-134. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138337

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2017, 52)

Haidar H. P., Baranskyi P. I.
Experimental evidence of invariability in the shape of n‑Ge isoenergetic ellipsoids influenced by strong uniaxial elastic strains

Cite:
Haidar, H. P., Baranskyi, P. I. (2017). Experimental evidence of invariability in the shape of n‑Ge isoenergetic ellipsoids influenced by strong uniaxial elastic strains. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 52, 128-134. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138337 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209