The ordering effects of an n-Si defect structure, induced by high fluences of ions with MeV energies / Haidar, H. P., Pinkovska, M. B., Starchyk, M. I. (2021)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001212764
  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    Б - 2019  /     Issue (2021, № 1)

Гайдар Г. П., Пінковська М. Б., Старчик М. І.
Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій

Бібліографічний опис:
Гайдар Г. П., Пінковська М. Б., Старчик М. І. Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій. Доповіді Національної академії наук України. 2021. № 1. С. 39-50. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001212764

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2021, 1)

Haidar H. P., Pinkovska M. B., Starchyk M. I.
The ordering effects of an n-Si defect structure, induced by high fluences of ions with MeV energies

Cite:
Haidar, H. P., Pinkovska, M. B., Starchyk, M. I. (2021). The ordering effects of an n-Si defect structure, induced by high fluences of ions with MeV energies. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 1, 39-50. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001212764 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209