Electronic mechanism of spontaneous magnetostriction in the layered system Mn2–xFexAs0.5P0.5 / Valkov, V. I., Golovchan, A. V. (2013)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001292491
  Low Temperature Physics      А - 2019  /     Issue (2013, Т. 39, Вип. 8)

Вальков В. И., Головчан А. В.
Электронный механизм спонтанной магнитострикции в слоистой системе Mn2–xFexAs0,5P0,5

Бібліографічний опис:
Вальков В. И., Головчан А. В. Электронный механизм спонтанной магнитострикции в слоистой системе Mn2–xFexAs0,5P0,5. Физика низких температур. 2013. Т. 39, Вип. 8. С. 904-912. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001292491

English  Low Temperature Physics   /     Issue (2013, 39 (8))

Valkov V. I., Golovchan A. V.
Electronic mechanism of spontaneous magnetostriction in the layered system Mn2–xFexAs0.5P0.5

Cite:
Valkov, V. I., Golovchan, A. V. (2013). Electronic mechanism of spontaneous magnetostriction in the layered system Mn2–xFexAs0.5P0.5. Low Temperature Physics, 39 (8), 904-912. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001292491 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209