Электронный механизм спонтанной магнитострикции в слоистой системе Mn2–xFexAs0,5P0,5 / Вальков В. И., Головчан А. В. (2013)
Ukrainian

English  Low Temperature Physics   /     Issue (2013, 39 (8))

Valkov V. I., Golovchan A. V.
Electronic mechanism of spontaneous magnetostriction in the layered system Mn2–xFexAs0.5P0.5


Cite:
Valkov, V. I., Golovchan, A. V. (2013). Electronic mechanism of spontaneous magnetostriction in the layered system Mn2–xFexAs0.5P0.5. Low Temperature Physics, 39 (8), 904-912. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001292491 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна