Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / Стороженко И. П., Аркуша Ю. В. (2011)
Ukrainian

English  Radiophysics and Electronics   /     Issue (2011, 2(16) (1))

translit Transliteration


Storozhenko I. P., Arkusha Ju. V.
Perspektivy ispolzovanija diodov Ganna na osnove GaN, AlN i InN


Cite:
Storozhenko, I. P., Arkusha, Ju. V. (2011). Perspektivy ispolzovanija diodov Ganna na osnove GaN, AlN i InN. Radiophysics and Electronics, 2(16) (1), 58-63 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000181519 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна