Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / Стороженко И. П., Аркуша Ю. В. (2011)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000181519
  Радиофизика и электроника   Б - 2020  /     Випуск (2011, Т. 2(16), № 1)

Стороженко И. П., Аркуша Ю. В.
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN

Бібліографічний опис:
Стороженко И. П., Аркуша Ю. В. Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN. Радиофизика и электроника. 2011. Т. 2(16), № 1. С. 58-63. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000181519

English  Radiophysics and Electronics   /     Issue (2011, 2(16) (1))

translit Transliteration

Storozhenko I. P., Arkusha Ju. V.
Perspektivy ispolzovanija diodov Ganna na osnove GaN, AlN i InN

Cite:
Storozhenko, I. P., Arkusha, Ju. V. (2011). Perspektivy ispolzovanija diodov Ganna na osnove GaN, AlN i InN. Radiophysics and Electronics, 2(16) (1), 58-63 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000181519 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна