О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / Стороженко И. П., Животова Е. Н. (2011)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000181520
  Радиофизика и электроника   Б - 2020  /     Випуск (2011, Т. 2(16), № 1)

Стороженко И. П., Животова Е. Н.
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs

Бібліографічний опис:
Стороженко И. П., Животова Е. Н. О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs. Радиофизика и электроника. 2011. Т. 2(16), № 1. С. 64-69. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000181520

English  Radiophysics and Electronics   /     Issue (2011, 2(16) (1))

translit Transliteration

Storozhenko I. P., Zhivotova E. N.
O rezonansnoj chastote diodov Ganna na osnove varizonnykh poluprovodnikov AlGaAs, GaPAs i GaSbAs

Cite:
Storozhenko, I. P., Zhivotova, E. N. (2011). O rezonansnoj chastote diodov Ganna na osnove varizonnykh poluprovodnikov AlGaAs, GaPAs i GaSbAs. Radiophysics and Electronics, 2(16) (1), 64-69 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000181520 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна