Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs / Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Клименко О. А. (2011)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000181580
  Радиофизика и электроника   Б - 2020  /     Випуск (2011, Т. 2(16), № 3)

Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Клименко О. А.
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs

Бібліографічний опис:
Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Клименко О. А. Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs. Радиофизика и электроника. 2011. Т. 2(16), № 3. С. 91-96. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000181580

English  Radiophysics and Electronics   /     Issue (2011, 2(16) (3))

translit Transliteration

Prokhorov E. D., Botsula O. V., Klimenko O. A.
Generatsija i umnozhenie chastoty diodami s tunnelnymi granitsami na osnove GaAs

Cite:
Prokhorov, E. D., Botsula, O. V., Klimenko, O. A. (2011). Generatsija i umnozhenie chastoty diodami s tunnelnymi granitsami na osnove GaAs. Radiophysics and Electronics, 2(16) (3), 91-96 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000181580 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна