Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs / Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Реутина О. А. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000192052
  Радиофизика и электроника   Б - 2020  /     Випуск (2013, Т. 4(18), № 1)

Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Реутина О. А.
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs

Бібліографічний опис:
Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Реутина О. А. Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs. Радиофизика и электроника. 2013. Т. 4(18), № 1. С. 86-90. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000192052

English  Radiophysics and Electronics   /     Issue (2013, 4(18) (1))

translit Transliteration

Prokhorov E. D., Botsula O. V., Reutina O. A.
Impedans i effektivnost generatsii planarnogo dioda s rezonansno-tunnelnoj granitsej na osnove GaAs

Cite:
Prokhorov, E. D., Botsula, O. V., Reutina, O. A. (2013). Impedans i effektivnost generatsii planarnogo dioda s rezonansno-tunnelnoj granitsej na osnove GaAs. Radiophysics and Electronics, 4(18) (1), 86-90 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000192052 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна