Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре / Гончарук Н. М., Карушкин Н. Ф., Ореховский В. А., Малышко В. В. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000192317
  Радиофизика и электроника   Б - 2020  /     Випуск (2014, Т. 5(19), № 1)

Гончарук Н. М., Карушкин Н. Ф., Ореховский В. А., Малышко В. В.
Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре

Бібліографічний опис:
Гончарук Н. М., Карушкин Н. Ф., Ореховский В. А., Малышко В. В. Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре. Радиофизика и электроника. 2014. Т. 5(19), № 1. С. 55-61. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000192317

English  Radiophysics and Electronics   /     Issue (2014, 5(19) (1))

translit Transliteration

Goncharuk N. M., Karushkin N. F., Orekhovskij V. A., Malyshko V. V.
Submillimetrovyj diod na arsenid–gallievoj nanostrukture

Cite:
Goncharuk, N. M., Karushkin, N. F., Orekhovskij, V. A., Malyshko, V. V. (2014). Submillimetrovyj diod na arsenid–gallievoj nanostrukture. Radiophysics and Electronics, 5(19) (1), 55-61 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000192317 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна