Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing / Smyntyna V. A., Sviridova O. V. (2010)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349129
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2010, Vol. 13, № 1)

Smyntyna V. A., Sviridova O. V.
Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing

Cite:
Smyntyna, V. A., Sviridova, O. V. (2010). Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 13 (1), 74-78. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349129

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна