Changes in the state of paramagnetic centers and lattice parameter of micro-structured Si under the influence of weak magnetic field / Trachevsky V. V., Steblenko L. P., Demchenko P. Y., Koplak O. V., Kuryliuk A. M., Melnik A. K. (2010)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349132
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2010, Vol. 13, № 1)

Trachevsky V. V., Steblenko L. P., Demchenko P. Y., Koplak O. V., Kuryliuk A. M., Melnik A. K.
Changes in the state of paramagnetic centers and lattice parameter of micro-structured Si under the influence of weak magnetic field

Cite:
Trachevsky, V. V., Steblenko, L. P., Demchenko, P. Y., Koplak, O. V., Kuryliuk, A. M., Melnik, A. K. (2010). Changes in the state of paramagnetic centers and lattice parameter of micro-structured Si under the influence of weak magnetic field. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 13 (1), 87-90. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349132

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна