Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor / Vlasov S. I., Saparov F. A., Ismailov K. A. (2010)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349376
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2010, Vol. 13, № 4)

Vlasov S. I., Saparov F. A., Ismailov K. A.
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor

Cite:
Vlasov, S. I., Saparov, F. A., Ismailov, K. A. (2010). Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 13 (4), 363-365. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349376

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна