інтернет-адреса сторінки:
http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349431
Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics 
А - 2019 /
Випуск (2011, Vol. 14, № 1)
Shul'pina I. L., Kyutt R. N., Ratnikov V. V., Prokhorov I. A., Bezbakh I. Zh., Shcheglov M. P.
X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
Cite:
Shulpina, I. L., Kyutt, R. N., Ratnikov, V. V., Prokhorov, I. A., Bezbakh, I. Zh., Shcheglov, M. P. (2011). X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (1), 62-70. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349431
PDF