Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction / Borblik V. L., Rudnev I. A., Shwarts Yu. M., Shwarts M. M. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349435
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2011, Vol. 14, № 1)

Borblik V. L., Rudnev I. A., Shwarts Yu. M., Shwarts M. M.
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction

Cite:
Borblik, V. L., Rudnev, I. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M. (2011). Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (1), 88-90. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349435

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна