Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature / Lashkarev G. V., Sichkovskyi V. I., Radchenko M. V., Aleshkevych P., Dmitriev O. I., Butorin P. E., Kovalyuk Z. D., Szymczak R., Slawska-Waniewska A., Nedelko N., Yakiela R., Balagurov A. M., Beskrovnyy A. I., Dobrowolski W. (2011)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349735 Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics А - 2019 / Випуск (2011, Vol. 14, № 3)
Lashkarev G. V., Sichkovskyi V. I., Radchenko M. V., Aleshkevych P., Dmitriev O. I., Butorin P. E., Kovalyuk Z. D., Szymczak R., Slawska-Waniewska A., Nedelko N., Yakiela R., Balagurov A. M., Beskrovnyy A. I., Dobrowolski W. Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
Cite: Lashkarev, G. V., Sichkovskyi, V. I., Radchenko, M. V., Aleshkevych, P., Dmitriev, O. I., Butorin, P. E., Kovalyuk, Z. D., Szymczak, R., Slawska-Waniewska, A., Nedelko, N., Yakiela, R., Balagurov, A. M., Beskrovnyy, A. I., Dobrowolski, W. (2011). Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (3), 263-268. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349735 |
|
|