Effect of pressure on the properties of Al SiO2 n-Si Ni structures / Vlasov S. I., Ovsyannikov A. V., Ismailov B. K., Kuchkarov B. H. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350135
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2012, Vol. 15, № 2)

Vlasov S. I., Ovsyannikov A. V., Ismailov B. K., Kuchkarov B. H.
Effect of pressure on the properties of Al SiO2 n-Si Ni structures

Cite:
Vlasov, S. I., Ovsyannikov, A. V., Ismailov, B. K., Kuchkarov, B. H. (2012). Effect of pressure on the properties of Al SiO2 n-Si Ni structures. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (2), 166-169. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350135

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна