Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements / Gomeniuk Yu. V. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350277
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2012, Vol. 15, № 1)

Gomeniuk Yu. V.
Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements

Cite:
Gomeniuk, Yu. V. (2012). Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (1), 1-7. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350277

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна