Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters / Sarikov A., Naseka V. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350278
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2012, Vol. 15, № 1)

Sarikov A., Naseka V.
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters

Cite:
Sarikov, A., Naseka, V. (2012). Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (1), 8-12. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350278

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна