Influence of -irradiation (60Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type / Gaidar G. P. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350282
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2012, Vol. 15, № 1)

Gaidar G. P.
Influence of -irradiation (60Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type

Cite:
Gaidar, G. P. (2012). Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (1), 26-31. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350282

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна