Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe / Kovalyuk Z. D., Duplavyy V. Y., Sydor O. M. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350285
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2012, Vol. 15, № 1)

Kovalyuk Z. D., Duplavyy V. Y., Sydor O. M.
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe

Cite:
Kovalyuk, Z. D., Duplavyy, V. Y., Sydor, O. M. (2012). Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (1), 38-40. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350285

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна