A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs) / Sghaier H., Bouzaiene L., Sfaxi L., Maaref H. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350292
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2012, Vol. 15, № 1)

Sghaier H., Bouzaiene L., Sfaxi L., Maaref H.
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)

Cite:
Sghaier, H., Bouzaiene, L., Sfaxi, L., Maaref, H. (2012). A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs). Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (1), 72-76. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350292

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна