Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates / Makhniy V. P., Slyotov М. М., Tkachenko I. V., Slyotov А. М. (2012)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350387
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2012, Vol. 15, № 4)

Makhniy V. P., Slyotov М. М., Tkachenko I. V., Slyotov А. М.
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates

Cite:
Makhniy, V. P., Slyotov, M. M., Tkachenko, I. V., Slyotov, A. M. (2012). Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (4), 338-339. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350387

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна