Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction / Vlaskina S. I., Mishinova G. N., Vlaskin V. I., Svechnikov G. S., Rodionov V. E., Lee S. W. (2013)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351880
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2013, Vol. 16, № 2)

Vlaskina S. I., Mishinova G. N., Vlaskin V. I., Svechnikov G. S., Rodionov V. E., Lee S. W.
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction

Cite:
Vlaskina, S. I., Mishinova, G. N., Vlaskin, V. I., Svechnikov, G. S., Rodionov, V. E., Lee, S. W. (2013). Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 16 (2), 132-135. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351880

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна