Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma / Yasunas A., Kotov D., Shiripov V., Radzionay U. (2013)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351896
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2013, Vol. 16, № 2)

Yasunas A., Kotov D., Shiripov V., Radzionay U.
Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma

Cite:
Yasunas, A., Kotov, D., Shiripov, V., Radzionay, U. (2013). Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 16 (2), 216-219. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351896

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна