Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb / Gaidar G. P. (2014)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352568
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2014, Vol. 17, № 1)

Gaidar G. P.
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb

Cite:
Gaidar, G. P. (2014). Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 17 (1), 25-28. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352568

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна