Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide / Tiagulskyi S. I., Nazarov A. N., Gordienko S. O., Vasin A. V., Rusavsky A. V., Nazarova T. M., Gomeniuk Yu. V., Lysenko V. S., Rebohle L., Voelskow M., Skorupa W., Koshka Y. (2014)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352570
Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics    А - 2019 /  Випуск (2014, Vol. 17, № 1)
Tiagulskyi S. I., Nazarov A. N., Gordienko S. O., Vasin A. V., Rusavsky A. V., Nazarova T. M., Gomeniuk Yu. V., Lysenko V. S., Rebohle L., Voelskow M., Skorupa W., Koshka Y.
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
Cite:
Tiagulskyi, S. I., Nazarov, A. N., Gordienko, S. O., Vasin, A. V., Rusavsky, A. V., Nazarova, T. M., Gomeniuk, Yu. V., Lysenko, V. S., Rebohle, L., Voelskow, M., Skorupa, W., Koshka, Y. (2014). Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 17 (1), 34-40. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352570 | |
|
|
PDF