Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects / Vlaskina S. I., Mishinova G. N., Vlaskin L. V., Rodionov V. E., Svechnikov G. S. (2014)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352781
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2014, Vol. 17, № 2)

Vlaskina S. I., Mishinova G. N., Vlaskin L. V., Rodionov V. E., Svechnikov G. S.
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects

Cite:
Vlaskina, S. I., Mishinova, G. N., Vlaskin, L. V., Rodionov, V. E., Svechnikov, G. S. (2014). Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 17 (2), 155-159. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352781

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна