Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm / Dobrovolskyi Yu., Pidkamin L., Brus V., Kuzenko V. (2014)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352931
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2014, Vol. 17, № 3)

Dobrovolskyi Yu., Pidkamin L., Brus V., Kuzenko V.
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm

Cite:
Dobrovolskyi, Yu., Pidkamin, L., Brus, V., Kuzenko, V. (2014). Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 17 (3), 256-259. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352931

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна