Visualization of submicron Si-rods by SPR-enhanced total internal reflection microscopy / Rengevych O. V., Beketov G. V., Ushenin Yu. V. (2014)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353047
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2014, Vol. 17, № 4)

Rengevych O. V., Beketov G. V., Ushenin Yu. V.
Visualization of submicron Si-rods by SPR-enhanced total internal reflection microscopy

Cite:
Rengevych, O. V., Beketov, G. V., Ushenin, Yu. V. (2014). Visualization of submicron Si-rods by SPR-enhanced total internal reflection microscopy. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 17 (4), 368-373. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353047

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна