Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings / Gaidar G. P. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353233
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2015, Vol. 18, № 1)

Gaidar G. P.
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge single crystals under the influence of thermoannealings

Cite:
Gaidar, G. P. (2015). Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge single crystals under the influence of thermoannealings. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (1), 53-56. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353233

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна