Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si1-xCx:H films / Vasin A. V., Ishikawa Y., Rusavsky A. V., Nazarov A. N., Konchitz A. A., Lysenko V. S. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353235
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2015, Vol. 18, № 1)

Vasin A. V., Ishikawa Y., Rusavsky A. V., Nazarov A. N., Konchitz A. A., Lysenko V. S.
Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si1-xCx:H films

Cite:
Vasin, A. V., Ishikawa, Y., Rusavsky, A. V., Nazarov, A. N., Konchitz, A. A., Lysenko, V. S. (2015). Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si1-xCx:H films. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (1), 63-70. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353235

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна