Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / Бабійчук І. В., Данько В. А., Індутний І. З., Луканюк М. В., Минько В. І., Шепелявий П. Є. (2014)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363504
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Б - 2020 /  Випуск (2014, Вып. 49)
Бабійчук І. В., Данько В. А., Індутний І. З., Луканюк М. В., Минько В. І., Шепелявий П. Є.
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу
Бібліографічний опис:
Бабійчук І. В., Данько В. А., Індутний І. З., Луканюк М. В., Минько В. І., Шепелявий П. Є. Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2014. Вып. 49. С. 36-41. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363504 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2014, 49)
Babiichuk I. V., Danko V. A., Indutnyi I. Z., Lukaniuk M. V., Mynko V. I., Shepeliavyi P. Ye.
Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process
Cite:
Babiichuk, I. V., Danko, V. A., Indutnyi, I. Z., Lukaniuk, M. V., Mynko, V. I., Shepeliavyi, P. Ye. (2014). Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 49, 36-41. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363504 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF