Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H2O2–HBr–уксусная кислота / Станецкая А. С., Томашик В. Н., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф., Галкин С. Н. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363507
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2014, Вып. 49)

Станецкая А. С., Томашик В. Н., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф., Галкин С. Н.
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H2O2–HBr–уксусная кислота

Бібліографічний опис:
Станецкая А. С., Томашик В. Н., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф., Галкин С. Н. Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H2O2–HBr–уксусная кислота. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2014. Вып. 49. С. 53-59. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363507

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2014, 49)

Stanetskaja A. S., Tomashik V. N., Stratijchuk I. B., Tomashik Z. F., Galkin S. N.
Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions

Cite:
Stanetskaja, A. S., Tomashik, V. N., Stratijchuk, I. B., Tomashik, Z. F., Galkin, S. N. (2014). Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 49, 53-59. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363507 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна