Електрична сприйнятливiсть замагнiченої електронної плазми з урахуванням анiзотропiї температури в рамках квантової теорiї поля / Дяченко М. М., Мирошніченко В. І., Холодов Р. І. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000388323
  Доповіді Національної академії наук України   Б - 2019  /     Випуск (2012, № 10)

Дяченко М. М., Мирошніченко В. І., Холодов Р. І.
Електрична сприйнятливiсть замагнiченої електронної плазми з урахуванням анiзотропiї температури в рамках квантової теорiї поля

Бібліографічний опис:
Дяченко М. М., Мирошніченко В. І., Холодов Р. І. Електрична сприйнятливiсть замагнiченої електронної плазми з урахуванням анiзотропiї температури в рамках квантової теорiї поля. Доповіді Національної академії наук України. 2012. № 10. С. 70-76. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000388323

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2012, 10)

translit Transliteration

Diachenko M. M., Myroshnichenko V. I., Kholodov R. I.
Elektrychna spryiniatlyvist zamahnichenoi elektronnoi plazmy z urakhuvanniam anizotropii temperatury v ramkakh kvantovoi teorii polia

Cite:
Diachenko, M. M., Myroshnichenko, V. I., Kholodov, R. I. (2012). Elektrychna spryiniatlyvist zamahnichenoi elektronnoi plazmy z urakhuvanniam anizotropii temperatury v ramkakh kvantovoi teorii polia. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 10, 70-76 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000388323 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна