Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch / Яцунский И. Р. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405176
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2013, № 6)

Яцунский И. Р.
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch

Бібліографічний опис:
Яцунский И. Р.  Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 6. С. 52-56. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405176

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2013, 6)

Jatsunskij I. R.
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching

Cite:
Jatsunskij, I. R. (2013). Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching. Technology and design in electronic equipment, 6, 52-56. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405176 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна