Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов / Голишников А. А., Путря М. Г. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405244
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2014, № 1)

Голишников А. А., Путря М. Г.
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов

Бібліографічний опис:
Голишников А. А., Путря М. Г. Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 1. С. 36-41. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405244

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2014, 1)

Golishnikov A. A., Putrja M. G.
Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology

Cite:
Golishnikov, A. A., Putrja, M. G. (2014). Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology. Technology and design in electronic equipment, 1, 36-41. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405244 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна