Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками / Вакуленко О. В., Головинський С. Л., Кондратенко С. В. (2011)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473581
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології   А - 2020 /  Випуск (2011, Т. 9, Вип. 2)
Вакуленко О. В., Головинський С. Л., Кондратенко С. В.
Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками
Бібліографічний опис:
Вакуленко О. В., Головинський С. Л., Кондратенко С. В. Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2011. Т. 9, Вип. 2. С. 343-353. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473581 |  Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies / Issue (2011, 9 (2))
Vakulenko O. V., Holovynskyi S. L., Kondratenko S. V.
Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
Cite:
Vakulenko, O. V., Holovynskyi, S. L., Kondratenko, S. V. (2011). Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots. Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies, 9 (2), 343-353. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473581 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF