Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model / Alisultanov Z. Z. (2013)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477193
  Физика низких температур      А - 2019  /     Випуск (2013, Т. 39, № 7)

Alisultanov Z. Z.
Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model

Cite:
Alisultanov, Z. Z. (2013). Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model. Low Temperature Physics, 39 (7), 767-770. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477193

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна