| 
Релаксація магнеточутливих домішок у монокристалічному кремнії / Макара В. А., Стебленко Л. П., Бокоч С. М., Курилюк А. М., Кобзар Ю. Л. (2013) 
| 
 інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477794 Металлофизика и новейшие технологии
    А  - 2019  /      Випуск (2013,  Т. 35, № 2) 
 Макара В. А., Стебленко Л. П., Бокоч С. М., Курилюк А. М., Кобзар Ю. Л.Релаксація магнеточутливих домішок у монокристалічному кремнії
 
 
 Бібліографічний опис:Макара В. А., Стебленко Л. П., Бокоч С. М., Курилюк А. М., Кобзар Ю. Л. Релаксація магнеточутливих домішок у монокристалічному кремнії. Металлофизика и новейшие технологии. 2013.  Т. 35, № 2. С. 265-278. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477794
 |  |  Metallophysics and advanced technologies   /  Issue (2013, 35 (2)) 
 Makara V. A., Steblenko L. P., Bokoch S. M., Kuryliuk A. M., Kobzar Yu. L.Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
 
 Cite:Makara, V. A., Steblenko, L. P., Bokoch, S. M., Kuryliuk, A. M., Kobzar, Yu. L. (2013). Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon. Metallophysics and advanced technologies, 35 (2), 265-278. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477794 [In Ukrainian].
 |  |  |  |