Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя / Шаповалов А. П. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000518648
  Металлофизика и новейшие технологии     А - 2019  /     Випуск (2013, Т. 35, № 8)

Шаповалов А. П.
Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя

Бібліографічний опис:
Шаповалов А. П.  Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя. Металлофизика и новейшие технологии. 2013. Т. 35, № 8. С. 1021-1030. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000518648

English  Metallophysics and advanced technologies   /     Issue (2013, 35 (8))

Shapovalov A. P.
Charge Transport in MoRe—Si(W)—MoRe Heterostructures under Various Levels of Semiconductor Layer Alloying

Cite:
Shapovalov, A. P. (2013). Charge Transport in MoRe—Si(W)—MoRe Heterostructures under Various Levels of Semiconductor Layer Alloying. Metallophysics and advanced technologies, 35 (8), 1021-1030. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000518648 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна