Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе / Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Корецкий Р. Н. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000606229
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2016, № 4-5)

Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Корецкий Р. Н.
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе

Бібліографічний опис:
Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Корецкий Р. Н. Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2016. № 4-5. С. 47-52. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000606229

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2016, 4-5)

Druzhinin A. A., Ostrovskij I. P., Khoverko Ju. N., Koretskij R. N.
Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures

Cite:
Druzhinin, A. A., Ostrovskij, I. P., Khoverko, Ju. N., Koretskij, R. N. (2016). Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures. Technology and design in electronic equipment, 4-5, 47-52. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000606229 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна