Ударная ионизация в коротких диодах на основе AlzGa1–zN / Боцула О. В., Приходько К. Г., Зозуля В. А. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000623083
  Радиофизика и электроника   Б - 2020  /     Випуск (2016, Т. 7(21), № 4)

Боцула О. В., Приходько К. Г., Зозуля В. А.
Ударная ионизация в коротких диодах на основе AlzGa1–zN

Бібліографічний опис:
Боцула О. В., Приходько К. Г., Зозуля В. А. Ударная ионизация в коротких диодах на основе AlzGa1–zN. Радиофизика и электроника. 2016. Т. 7(21), № 4. С. 83-88. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000623083

English  Radiophysics and Electronics   /     Issue (2016, 7(21) (4))

Botsula O. V., Prikhodko K. G., Zozulja V. A.
Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes

Cite:
Botsula, O. V., Prikhodko, K. G., Zozulja, V. A. (2016). Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes. Radiophysics and Electronics, 7(21) (4), 83-88. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000623083 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна