Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C / Головата Н. В., Марків В. Я., Білявина Н. М. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000664422
  Украинский химический журнал  Б - 2020  /     Випуск (2013, Т. 79, № 8)

Головата Н. В., Марків В. Я., Білявина Н. М.
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C

Бібліографічний опис:
Головата Н. В., Марків В. Я., Білявина Н. М. Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C. Украинский химический журнал. 2013. Т. 79, № 8. С. 102-105. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000664422

English  Ukrainian Chemistry Journal   /     Issue (2013, 79 (7-8))

Holovata N. V., Markiv V. Ya., Biliavyna N. M.
Isothermal section of the phase diagram of the Gd—Si—Ga system at 800 °C

Cite:
Holovata, N. V., Markiv, V. Ya., Biliavyna, N. M. (2013). Isothermal section of the phase diagram of the Gd—Si—Ga system at 800 °C. Ukrainian Chemistry Journal, 79 (7-8), 102-105. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000664422 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна