Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия / Клепикова А. С., Арапов Ю. Г., Гудина С. В., Неверов В. Н., Харус Г. И., Шелушинина Н. Г., Якунин М. В., Звонков Б. Н. (2017)
Ukrainian

English  Low Temperature Physics   /     Issue (2017, 43 (4))

Klepikova A. S., Arapov Ju. G., Gudina S. V., Neverov V. N., Kharus G. I., Shelushinina N. G., Jakunin M. V., Zvonkov B. N.
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide


Cite:
Klepikova, A. S., Arapov, Ju. G., Gudina, S. V., Neverov, V. N., Kharus, G. I., Shelushinina, N. G., Jakunin, M. V., Zvonkov, B. N. (2017). The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide. Low Temperature Physics, 43 (4), 596-604. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687585 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна