Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure / Gudina S. V., Neverov V. N., Novik E. G., Ilchenko E. V., Harus G. I., Shelushinina N. G., Podgornykh S. M., Yakunin M. V., Mikhailov N. N., Dvoretsky S. A. (2017)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687586
Физика низких температур   А - 2019 /  Випуск (2017, Т. 43, № 4)
Gudina S. V., Neverov V. N., Novik E. G., Ilchenko E. V., Harus G. I., Shelushinina N. G., Podgornykh S. M., Yakunin M. V., Mikhailov N. N., Dvoretsky S. A.
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
Cite:
Gudina, S. V., Neverov, V. N., Novik, E. G., Ilchenko, E. V., Harus, G. I., Shelushinina, N. G., Podgornykh, S. M., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. (2017). Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure. Low Temperature Physics, 43 (4), 605-611. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000687586 | |
|
|
PDF