Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0÷1) films produced by plasma chemical deposition technique / Najafov B. A., Dadashova V. V. (2014)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000696802
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2014, Vol. 59, № 10)

Najafov B. A., Dadashova V. V.
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0÷1) films produced by plasma chemical deposition technique

Cite:
Najafov, B. A., Dadashova, V. V. (2014). Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0÷1) films produced by plasma chemical deposition technique. Ukrainian journal of physics, 59 (10), 959-966. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000696802

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна