Електричні властивості оксидокремнієвих гетероструктур на основі поруватого кремнію / Оленич І. Б., Монастирський Л. С., Коман Б. П. (2017)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703053
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2017, Т. 62, № 2)

Оленич І. Б., Монастирський Л. С., Коман Б. П.
Електричні властивості оксидокремнієвих гетероструктур на основі поруватого кремнію

Бібліографічний опис:
Оленич І. Б., Монастирський Л. С., Коман Б. П. Електричні властивості оксидокремнієвих гетероструктур на основі поруватого кремнію. Український фізичний журнал. 2017. Т. 62, № 2. С. 166-171. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703053

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2017, 62 (2))

Olenych I. B., Monastyrskyi L. S., Koman B. P.
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon

Cite:
Olenych, I. B., Monastyrskyi, L. S., Koman, B. P. (2017). Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon. Ukrainian Journal of Physics, 62 (2), 166-171. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000703053 [In Ukrainian].

Broken reflection symmetry and diamagnetic coefficient of carriers confined in semiconductor lateral quantum dot molecules / Voskoboynikov O. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000726951
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2015, Т. 60, № 2)

Voskoboynikov O.
Broken reflection symmetry and diamagnetic coefficient of carriers confined in semiconductor lateral quantum dot molecules

Cite:
Voskoboynikov, O. (2015). Broken reflection symmetry and diamagnetic coefficient of carriers confined in semiconductor lateral quantum dot molecules. Ukrainian Journal of Physics, 60 (2), 141-147. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000726951

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна